MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG16N10S461ATMA1, VDSS 100 V, ID 16 A, SuperSO8 5 x 6, Doble N de 8 pines, config. Modo
- Código RS:
- 243-9342
- Referência do fabricante:
- IPG16N10S461ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
3,56 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 14.770 unidade(s) para enviar a partir do dia 30 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,712 € | 3,56 € |
| 50 - 120 | 0,634 € | 3,17 € |
| 125 - 245 | 0,598 € | 2,99 € |
| 250 - 495 | 0,556 € | 2,78 € |
| 500 + | 0,51 € | 2,55 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 243-9342
- Referência do fabricante:
- IPG16N10S461ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IPG16N10S4-61 | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Doble N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora del nivel normal del canal N doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IPG16N10S4-61 | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Doble N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Modo de mejora del nivel normal del canal N doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de Infineon de nivel lógico normal de canal N doble, calificación AEC Q101 y 100 % probado para avalancha.
Canal N
100 % probado para avalancha
AEC Q101 calificado
MSL1 hasta 260°C de pico de reflujo
Temperatura de funcionamiento 175 °C
Producto verde (conforme a RoHS)
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 16 A, SuperSO8 5 x 6, Doble N de 8 pines, config. Modo de mejora del nivel
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L26ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, N de 8 pines, 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, N de 8 pines, 2, config. Modo de mejora del nivel
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S415AATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, Doble N de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IAUC45N04S6L063HATMA1, VDSS 40 V, ID 45 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, config.
- MOSFET de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, N de 8 pines, config. Medio puente
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S4L22AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Doble N de 8 pines, config. Modo de
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, Doble N de 8 pines, 2, config. Doble canal N Nivel