MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB110P06LMATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 243-9268
- Referência do fabricante:
- IPB110P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
3,89 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 623 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,89 € |
| 10 - 24 | 3,68 € |
| 25 - 49 | 3,61 € |
| 50 - 99 | 3,37 € |
| 100 + | 3,14 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 243-9268
- Referência do fabricante:
- IPB110P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de señal pequeña de canal P de Infineon tiene un chapado de cable sin plomo. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET son de 100 A y -60 V respectivamente. Tiene un valor de resistencia muy bajo. La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y 150 °C.
Tecnología de montaje en superficie
Disponibilidad de nivel lógico
Fácil interfaz a unidad de microcontrolador (MCU)
Conmutación rápida
Resistencia en avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, P, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB020N08N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, P, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P03P4L04ATMA2, VDSS 100 V, ID 273 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R045P7ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines