MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
243-9267
Referência do fabricante:
IPB110P06LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor de señal pequeña de canal P de Infineon tiene un chapado de cable sin plomo. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET son de 100 A y -60 V respectivamente. Tiene un valor de resistencia muy bajo. La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y 150 °C.

Tecnología de montaje en superficie

Disponibilidad de nivel lógico

Fácil interfaz a unidad de microcontrolador (MCU)

Conmutación rápida

Resistencia en avalancha

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