MOSFET, N-Canal Infineon BSC027N06LS5ATMA1, VDSS 60 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 241-9875
- Referência do fabricante:
- BSC027N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (2 unidades, em pack de 2)*
5,45 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 4562 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,725 € | 5,45 € |
| 20 - 48 | 2,43 € | 4,86 € |
| 50 - 98 | 2,29 € | 4,58 € |
| 100 - 198 | 2,12 € | 4,24 € |
| 200 + | 1,97 € | 3,94 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 241-9875
- Referência do fabricante:
- BSC027N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 381A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | BSC0 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 381A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie BSC0 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSC0 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 381 A - BSC027N06LS5ATMA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere una conmutación eficiente y resistencia térmica en rangos de temperatura exigentes. Funciona como un interruptor compatible con lógica para etapas de potencia, proporcionando una capacidad de corriente continua sustancial al tiempo que sigue siendo adecuado para diseños de placas y conjuntos compactos que requieren una baja resistencia de conexión y características de accionamiento de puerta controladas.
Características y ventajas:
• Los límites de tensión de drenaje de 60 V permiten una conmutación robusta de media tensión
• La corriente continua de 381 A proporciona una alta capacidad de carga sostenida
• La Rds(on) de 0,7 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo cargas pesadas
• La disipación de potencia de 81 W permite un amplio espacio térmico
• La carga de puerta típica de 80 nC admite conmutación más rápida con accionamiento moderado
• La tensión del diodo de avance de 1,2 V minimiza la tensión de recuperación durante la conmutación
• La corriente continua de 381 A proporciona una alta capacidad de carga sostenida
• La Rds(on) de 0,7 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo cargas pesadas
• La disipación de potencia de 81 W permite un amplio espacio térmico
• La carga de puerta típica de 80 nC admite conmutación más rápida con accionamiento moderado
• La tensión del diodo de avance de 1,2 V minimiza la tensión de recuperación durante la conmutación
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de controlador de motor de alta corriente en placas compactas
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías que requieren baja pérdida de conducción
• Se puede utilizar para etapas de conmutación en módulos de alimentación dc-dc
• Adecuado para accionamientos industriales que funcionan a amplias temperaturas
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías que requieren baja pérdida de conducción
• Se puede utilizar para etapas de conmutación en módulos de alimentación dc-dc
• Adecuado para accionamientos industriales que funcionan a amplias temperaturas
¿Qué margen de accionamiento de puerta se recomienda para una conmutación fiable?
Se permite un accionamiento de puerta de hasta el máximo de 20 V Vgs, pero el accionamiento de nivel lógico típico debe tener en cuenta la carga de puerta de 80 nC al dimensionar el controlador para lograr las velocidades de transición deseadas.
¿Cómo afecta el rendimiento térmico a la disposición y la refrigeración?
Con un valor nominal de disipación máximo de 81 W, el diseño de la placa debe proporcionar una superficie de cobre adecuada y vías térmicas para conducir el calor fuera del encapsulado TDSON para un funcionamiento de alta corriente sostenido.
¿Qué rango ambiental puede tolerar durante el funcionamiento?
Funciona en un amplio rango de temperatura ambiente de –55 a +150 °C, compatible con diseños expuestos a temperaturas extremas.
¿Cómo influye el comportamiento intrínseco del diodo en los eventos de conmutación?
La característica del diodo de avance de 1,2 V reduce la tensión de recuperación inversa de pico durante los cambios de modo, lo que afecta a los requisitos de amortiguación y abrazadera.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC110N15NS5ATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC070N10LS5ATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC034N06NSATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC034N10LS5ATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC025N08LS5ATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC096N10LS5ATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 381 A, TDSON de 8 pines