MOSFET, N-Canal Infineon IAUC100N04S6L014ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 241-9685
- Referência do fabricante:
- IAUC100N04S6L014ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,836 € | 9,18 € |
| 50 - 120 | 1,488 € | 7,44 € |
| 125 - 245 | 1,396 € | 6,98 € |
| 250 - 495 | 1,286 € | 6,43 € |
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- Código RS:
- 241-9685
- Referência do fabricante:
- IAUC100N04S6L014ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IAUC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOSTM tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 40 V y una corriente de drenaje (ID) de 100 A. Dispone de tecnología MOS en el encapsulado sin cable SS08 de 5 x 6 mm² con el más alto nivel de calidad y robustez para aplicaciones de automoción.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
Canal N - Modo de mejora - Nivel lógico
Calificación AEC Q101
MSL1 hasta 260° C de reflujo máximo
175° C de temperatura de funcionamiento
Producto ecológico (cumple con la directiva RoHS)
Probado al 100% en Avalancha
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