MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ017NE2LS5IATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
241-9679
Referência do fabricante:
BSZ017NE2LS5IATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N Infineon OptiMOSTM 5 tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 25 V y una corriente de drenaje (ID) de 134 A. Ofrece soluciones de referencia al permitir la máxima densidad de potencia y eficiencia energética, tanto en espera como en funcionamiento completo. Dispone de la mejor resistencia de su clase y tiene un uso más amplio en sobremesa y servidor, regulador de tensión de alta densidad de potencia, etc.

Optimizado para convertidores reductores de alto rendimiento

Diodo monolítico integrado tipo schottky

Resistencia de encendido muy baja RDS(on)@VGS = 4,5V

100 % probado por avalancha

Canal N

Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Revestimiento de cable sin Pb

Cumple con la normativa RoHS

Libre de halógenos según la norma IEC61249-2-21

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