MOSFET Microchip MSC025SMA120B4, VDSS 1200 V, ID 73 A, TO-247-4 de 4 pines

La línea de productos MOSFET de potencia de carburo de silicio de Microchip de Micro semi aumenta el rendimiento con respecto a las soluciones IGBT de silicio y MOSFET de silicio al tiempo que reduce el coste total de propiedad para aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC025SMA120B4 es un MOSFET Sic de 1.200 V de 25 mΩ en un encapsulado de 4 cables TO 247 con detección de fuente.

Baja capacitancia y baja carga de compuerta
Rápida velocidad de conmutación gracias a la baja resistencia interna de la puerta
Funcionamiento estable a alta temperatura de unión T igual a 175 °C
Diodo de cuerpo rápido y fiable
Resistencia de avalancha superior
Cumple con la normativa RoH