MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 9.4 A, ThinPAK 5x6 de 5 pines

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Código RS:
240-8541
Referência do fabricante:
IPLK70R600P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

IPL

Encapsulado

ThinPAK 5x6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

25.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

3 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6.35mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La familia MOSFET CoolMOS™ P7 de Super Junction (SJ) de Infineon está diseñada para abordar los retos típicos del mercado SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precio. El encapsulado ThinPAK 5x6 se caracteriza por un tamaño muy pequeño de 5 x 6 mm² y un perfil muy bajo con una altura de 1 mm. Junto con su referencia parásita baja, estas características conducen a factores de forma significativamente más pequeños y ayudan a aumentar la densidad de potencia. Esta combinación convierte a CoolMOS™ P7 en ThinPAK en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino. La familia CoolMOS™ P7 de 700 V está optimizada para topologías de retorno.

Pérdidas extremadamente bajas

Excelente comportamiento térmico

Diodo de protección ESD integrado

Brillos de conmutación bajos (Eoss)

Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales

La mejor calidad y fiabilidad de su clase

Baja EMI

Amplia gama de valores RDS(on)

Cartera completamente optimizada

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