MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines
- Código RS:
- 240-1974
- Referência do fabricante:
- PSMN2R0-55YLHX
- Fabricante:
- Nexperia
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- 240-1974
- Referência do fabricante:
- PSMN2R0-55YLHX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | LFPAK56E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 12.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado LFPAK56E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 12.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N Nexperia se encuentra en un encapsulado LFPAK56E. El ASFET es especialmente adecuado para aplicaciones alimentadas por batería de 36 V que requieren una alta capacidad de avalancha, rendimiento de modo lineal, uso en altas frecuencias de conmutación y también A seguro
Calificación de 175 °C
Avalancha nominal, 100 % probado
Bajo QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente en frecuencias de conmutación más altas
Conmutación superrápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para oscilación y oscilación baja, recomendada para diseños de EMI baja
Tecnología única “Schottky” para rendimiento de conmutación similar a Schottky y bajo nivel de fuga IDSS
Valor nominal VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el uso compartido de corriente
Características de área de funcionamiento segura/modo lineal muy resistentes para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente
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