MOSFET, N-Canal Vishay SiR516DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 63.7 A, Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
239-8650
Referência do fabricante:
SiR516DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

63.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.01Ω

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV que funciona a 100 V. Este MOSFET se utiliza para fuente de alimentación, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

Resistencia muy baja

Probado conforme a UIS

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.