MOSFET Microchip, Tipo P-Canal VP0109N3-G, VDSS 90 V, ID 250 mA, TO-92, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 236-8963
- Referência do fabricante:
- VP0109N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 236-8963
- Referência do fabricante:
- VP0109N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Serie | VP0109 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Serie VP0109 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
El transistor de modo de mejora Microchip (normalmente desactivado) utiliza una estructura DMOS vertical y el proceso de fabricación de puerta de silicio probado de Supertex. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea una tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y ganancia alta