MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB19DP10NMATMA1, VDSS 100 V, ID 13.8 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
235-4845
Referência do fabricante:
IPB19DP10NMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ de 100V plg. En encapsulado D²PAK representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.

Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja

Robustez de avalancha

Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector

Rendimiento sólido y fiable

Aumento de la seguridad del suministro

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