MOSFET, N-Canal ROHM SH8KC7TB1, VDSS 60 V, ID 10.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal 50 unidades (fornecido em tira contínua)*

62,35 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2410 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
50 - 901,247 €
100 - 2401,234 €
250 - 9901,196 €
1000 +1,007 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
235-2815P
Referência do fabricante:
SH8KC7TB1
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

4.05mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.75mm

Altura

5.2mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.