MOSFET, N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
235-2812P
Referência do fabricante:
SH8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.75mm

Longitud

4.05mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.2mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

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