MOSFET, N-Canal ROHM QH8KC6TCR, VDSS 60 V, ID 5.5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines

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Código RS:
235-2670P
Referência do fabricante:
QH8KC6TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSMT-8

Serie

QH8KC6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

850μm

Altura

2.9mm

Estándar de automoción

No

The ROHM dual N channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen Free

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