MOSFET Infineon, N-Canal F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 25 A, AG-EASY2B de 2 pines, config. Aislado

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Código RS:
234-8968
Referência do fabricante:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Serie

F4

Encapsulado

AG-EASY2B

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

5.65V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.062μC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

16.4mm

Longitud

62.8mm

Anchura

33.8mm

Certificaciones y estándares

60749 and 60068, IEC 60747

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene un tipo FET de 4 canales N (medio puente) que funciona con tensión de drenador a fuente de 1200 V y corriente de drenaje continua de 75 A.

Montaje en chasis

Temperatura de funcionamiento de -40 °C a +150 °C

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