MOSFET Infineon, N-Canal F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 25 A, AG-EASY2B de 2 pines, config. Aislado
- Código RS:
- 234-8967
- Referência do fabricante:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Adicione mais 48 para poupar 5%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bandeja de 24 unidades)*
1 464,96 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Envio a partir do dia 11 de maio de 2027
Unidad(es) | Por unidade | Por Bandeja* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 24 - 24 | 61,04 € | 1 464,96 € | - |
| 48 - 48 | 57,988 € | 1 391,71 € | 5% |
| 72 + | 55,118 € | 1 322,83 € | 9% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 234-8967
- Referência do fabricante:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | AG-EASY2B | |
| Serie | F4 | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.062μC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 5.65V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Longitud | 62.8mm | |
| Anchura | 33.8mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado AG-EASY2B | ||
Serie F4 | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.062μC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 5.65V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Longitud 62.8mm | ||
Anchura 33.8mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Links relacionados
- MOSFET Infineon, N-Canal F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 25 A, AG-EASY2B de 2 pines, config. Aislado
- Módulos MOSFET Infineon, N-Canal FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 160 A, AG-EASY2B, Mejora de 8 pines, config.
- MOSFET, N-Canal Infineon FF6MR20W2M1HB70BPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 150 A, Mejora, AG-EASY2B
- Infineon IGBT, FP35R12W2T7BPSA1 Trifásico, 35 A, 1.2 kV, AG-EASY2B-711 Chasis
- Infineon IGBT, FS75R12W2T7B11BOMA1 Puente completo, 75 A, 1.2 kV, AG-EASY2B-711 Chasis
- MOSFET Infineon, N-Canal F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 100 A, AG-EASY2B, Mejora de 8 pines
- Infineon Módulo IGBT, FP35R12W2T4BOMA1, N-Canal, 54 A, 1.2 kV, AG-EASY2B-1 Abrazadera
- Infineon IGBT, FP50R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 50 A, 1.2 kV, AG-EASY2B, 31 pines Orificio pasante 7
