MOSFET Infineon, N-Canal F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1.2 kV, ID 25 A, AG-EASY2B de 2 pines, config. Aislado

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 48 para poupar 5%

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 bandeja de 24 unidades)*

1 464,96 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 11 de maio de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bandeja*
Poupança
24 - 2461,04 €1 464,96 €-
48 - 4857,988 €1 391,71 €5%
72 +55,118 €1 322,83 €9%

*preço indicativo

Código RS:
234-8967
Referência do fabricante:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

AG-EASY2B

Serie

F4

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.062μC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

5.65V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

60749 and 60068, IEC 60747

Longitud

62.8mm

Anchura

33.8mm

Altura

16.4mm

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene un tipo FET de 4 canales N (medio puente) que funciona con tensión de drenador a fuente de 1200 V y corriente de drenaje continua de 75 A.

Montaje en chasis

Temperatura de funcionamiento de -40 °C a +150 °C

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.