MOSFET, N-Canal Renesas Electronics 2SK1835-E, VDSS 1500 V, ID 4 A, Mejora, TO-3PN de 3 pines
- Código RS:
- 234-7062
- Referência do fabricante:
- 2SK1835-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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- Código RS:
- 234-7062
- Referência do fabricante:
- 2SK1835-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1500V | |
| Encapsulado | TO-3PN | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 20.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Renesas Electronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1500V | ||
Encapsulado TO-3PN | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 20.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de silicio de Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 1.500 V. También es adecuado para regulador de conmutación.
Baja resistencia de conexión
Conmutación de alta velocidad
Alta robustez
Corriente de accionamiento baja
Sin descomposición secundaria
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