MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 233-3092P
- Referência do fabricante:
- STN3NF06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 233-3092P
- Referência do fabricante:
- STN3NF06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Anchura | 7 mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Anchura 7 mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia STMicroelectronics es el último desarrollo del proceso basado en tiras de tamaño de característica única de STMicroelectronics. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja resistencia de conexión, características de avalancha resistente y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable.
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