MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
233-3039P
Referência do fabricante:
STB37N60DM2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

STB37N60

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

94mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

210W

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.85mm

Anchura

10.4mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM2. Ofrece una carga de recuperación (Qrr) y tiempo (trr) muy bajos combinados con baja RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de desplazamiento de fase ZVS.

Diseñado para aplicaciones de automoción y con certificación AEC-Q101

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Baja resistencia

100 % a prueba de avalancha

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Protección Zener

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