MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH60N120G2-7, VDSS 1200 V, ID 60 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 233-0471P
- Referência do fabricante:
- SCTH60N120G2-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 233-0471P
- Referência do fabricante:
- SCTH60N120G2-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.052Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.052Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.
Carga de puerta y capacitancia de entrada extremadamente bajas
Pin de detección de fuente para mayor eficacia