MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 106 A, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 232-3048
- Referência do fabricante:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 232-3048
- Referência do fabricante:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 106A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 234nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 106A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 234nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.13mm | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon CFD7 es un MOSFET de súper unión con diodo de cuerpo rápido integrado en encapsulado TO-247 que es la elección perfecta para topologías de alta potencia resonante. La tecnología CoolMOS CFD7 cumple los estándares más altos de eficiencia y fiabilidad y es más compatible con soluciones de alta densidad de potencia.
Diodo de cuerpo ultrarrápido y Qrr muy bajo
Tensión de ruptura de 650V V.
Reducción significativa de pérdidas de conmutación en comparación con la competencia
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