MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R027M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 59 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

11,60 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 96 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 411,60 €
5 - 911,02 €
10 - 2410,79 €
25 - 4910,09 €
50 +9,40 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
232-0401
Referência do fabricante:
IMZA65R027M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 4 contactos. El MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Es adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite la implementación simplificada y rentable de la máxima eficiencia del sistema. El MOSFET en encapsulado de TO247 4 contactos reduce los efectos de inductancia de fuente parásita en el circuito de puerta, lo que permite una conmutación más rápida y mayor eficiencia.

Capacidades bajas

Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores

Fiabilidad superior de óxido de puerta

Excelente comportamiento térmico

Mayor capacidad de avalancha

Funciona con un controlador estándar

Links relacionados

Recently viewed