MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTPF165N65S3H, VDSS 650 V, ID 19 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 229-6495
- Referência do fabricante:
- NTPF165N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
8,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 23 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,20 € | 8,40 € |
| 20 - 198 | 3,62 € | 7,24 € |
| 200 + | 3,14 € | 6,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 229-6495
- Referência do fabricante:
- NTPF165N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 165mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 29.95mm | |
| Longitud | 10.63mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 29.95mm | ||
Longitud 10.63mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie SUPER FET DE ON Semiconductor es un MOSFET de súper unión de alta tensión completamente nuevo que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología Advanced se ha diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir una velocidad de dv/dt extrema.
Baja capacitancia eficaz de salida
100 % a prueba de avalancha
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 19 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTP165N65S3H, VDSS 650 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi FCP165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 13 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 16 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, N, TO-220 de 3 pines
