MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMTS4D3N15MC, VDSS 150 V, ID 175 A, N, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 229-6485
- Referência do fabricante:
- NTMTS4D3N15MC
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 229-6485
- Referência do fabricante:
- NTMTS4D3N15MC
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 175A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 293W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.5mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 175A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 293W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.5mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE canal N ON Semiconductor se produce utilizando un proceso de zanja de potencia Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de encendido y mantener un rendimiento de conmutación superior.
Minimiza las pérdidas de conducción
Corriente Peak alta e inductancia parásita baja
Ofrece un margen de diseño más amplio para aplicaciones con limitaciones térmicas
Reduce el pico de conmutación
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