MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 41.9 A, N, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 229-6468
- Referência do fabricante:
- NTMFS022N15MC
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 229-6468
- Referência do fabricante:
- NTMFS022N15MC
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 41.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.3mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 41.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.3mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE canal N ON Semiconductor se produce utilizando un proceso de zanja de potencia Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimice las pérdidas del conductor
Reduce el ruido de conmutación/EMI
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