MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 46 A, N, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 229-6462
- Referência do fabricante:
- NTH4L060N090SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- NTH4L060N090SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SiC Power | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 84mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 87nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 221W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 3.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Altura | 22.74mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SiC Power | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 84mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 221W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 3.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Altura 22.74mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.
Más alta eficacia
Frecuencia de funcionamiento más rápida
Mayor densidad de potencia
EMI reducidas
Tamaño reducido del sistema
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