MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AUIRFN8459TR, VDSS 40 V, ID 70 A, PQFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 229-1740
- Referência do fabricante:
- AUIRFN8459TR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 229-1740
- Referência do fabricante:
- AUIRFN8459TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.85 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.85 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal N doble Infineon en un encapsulado PQFN de 5 mm x 6 mm L permite avalancha repetitiva hasta Tjmax. Tiene una velocidad de conmutación rápida y no tiene plomo.
Cumple con RoHS
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Tiene una resistencia de conexión ultrabaja
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