MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SiS590DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 228-2925
- Referência do fabricante:
- SiS590DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2925
- Referência do fabricante:
- SiS590DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 doble | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.251Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 23.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 doble | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.251Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 23.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N y P combinado de -100 V Vishay.
100 % Rg y UIS probados
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