MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHF080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

6,43 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 928 unidade(s) a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 183,215 €6,43 €
20 - 482,89 €5,78 €
50 - 982,735 €5,47 €
100 - 1982,57 €5,14 €
200 +2,38 €4,76 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
228-2854
Referência do fabricante:
SiHF080N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

E

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Links relacionados