MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB053N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 47 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
225-9910
Referência do fabricante:
SIHB053N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

47A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

E

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

54mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Altura

15.88mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Energía nominal de avalancha (UIS)

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