MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RD3G03BATTL1, VDSS 40 V, ID 35 A, P, TO-252 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
223-6277
Referência do fabricante:
RD3G03BATTL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

RD3G03BAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

191mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

56W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM tiene un tipo de encapsulado TO-252. Se utiliza principalmente para conmutación.

Baja resistencia de encendido

Velocidad de conmutación rápida

Circuitos de accionamiento sencillos

Fácil de usar en paralelo

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

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