MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R080G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 222-4940
- Referência do fabricante:
- IPT60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
10,66 €
Adicione 18 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 1982 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,33 € | 10,66 € |
| 10 - 18 | 4,585 € | 9,17 € |
| 20 - 48 | 4,26 € | 8,52 € |
| 50 - 98 | 3,995 € | 7,99 € |
| 100 + | 3,68 € | 7,36 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4940
- Referência do fabricante:
- IPT60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | IPT60R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Anchura | 10.58 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie IPT60R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Anchura 10.58 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon CoolMOS™ C7 Gold SuperJunction MOSFET (G7) reúne las ventajas de la tecnología mejorada CoolMOS™ C7 Gold 600V, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) hasta 3kW y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.
Ofrece el mejor FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.
Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 12.5 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 44 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 75 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT60R190D1SATMA1, VDSS 600 V, ID 12.5 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R050G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 44 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, Mejora, HSOF de 8 pines