MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 222-4938
- Referência do fabricante:
- IPT60R028G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
13,14 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 27 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 13,14 € |
| 5 - 9 | 12,48 € |
| 10 - 24 | 12,23 € |
| 25 - 49 | 11,43 € |
| 50 + | 10,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4938
- Referência do fabricante:
- IPT60R028G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPT60R | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 391W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 123nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.58 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPT60R | ||
Encapsulado HSOF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 391W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 123nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.58 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon CoolMOS™ C7 Gold SuperJunction MOSFET (G7) reúne las ventajas de la tecnología mejorada CoolMOS™ C7 Gold 600V, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) hasta 3kW y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.
Ofrece el mejor FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.
Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 75 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 44 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 12.5 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R102G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R080G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT60R190D1SATMA1, VDSS 600 V, ID 12.5 A, Mejora, HSOF de 8 pines