MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
222-4923
Referência do fabricante:
IPP60R022S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

IPP60R

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.57mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.45mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon optimizado para bajas pérdidas de conducción, el MOSFET Superjunction 600V CoolMOS™ S7 (IPP60R022S7) in TO-220 dispone del mejor RDS(on) x precio para aplicaciones de baja frecuencia de conmutación, como rectificadores de puente activos, etapas de inversor, relés de entrada, PLC, líneas HV dc, relés de estado sólido de alimentación y disyuntores de estado sólido. El MOSFET CoolMOS™ S7 SJ 600V logra una mayor eficiencia energética y reduce los gastos de BOM.

Minimice las pérdidas de conducción

Aumentar la eficiencia energética

Diseños más compactos y sencillos

Elimine o reduzca el disipador de calor en el diseño de estado sólido

Menor coste total de propiedad (TCO) o coste de lista de materiales (BOM)

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