MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4879
- Referência do fabricante:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
35,25 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1450 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,705 € | 35,25 € |
| 100 - 200 | 0,55 € | 27,50 € |
| 250 - 450 | 0,515 € | 25,75 € |
| 500 - 1200 | 0,48 € | 24,00 € |
| 1250 + | 0,444 € | 22,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4879
- Referência do fabricante:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPA60R | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPA60R | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R600P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20.7 A, Mejora, TO-220 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines