MOSFET, N-Canal Infineon IPA60R160P7XKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4877
- Referência do fabricante:
- IPA60R160P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
75,10 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 250 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,502 € | 75,10 € |
| 100 - 200 | 1,352 € | 67,60 € |
| 250 + | 1,277 € | 63,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4877
- Referência do fabricante:
- IPA60R160P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | IPA60R | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie IPA60R | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IPA60R160P7XKSA1, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IPA60R099P7XKSA1, VDSS 1200 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon, N-Canal FF3MR12KM1HHPSA1, VDSS 1200 V, ID 185 A, Mejora
- MOSFET Infineon, N-Canal FF3MR12KM1HPHPSA1, VDSS 1200 V, ID 280 A, Mejora
- MOSFET Infineon, N-Canal F411MR12W2M1HPB76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora
- MOSFET Infineon, N-Canal FS13MR12W2M1HC55BPSA1, VDSS 1200 V, ID 62.5 A, EasyPACK, Mejora
- MOSFET Infineon, N-Canal FF6MR12W2M1HPB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, EasyDUAL, Mejora
