MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4866
- Referência do fabricante:
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
120,96 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 270 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 4,032 € | 120,96 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4866
- Referência do fabricante:
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | IMZ1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie IMZ1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolSiC de 1.200 V, 90 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.
Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZ120R090M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SCT4062KEHRC11, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SCT4062KRHRC15, VDSS 1200 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 36 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 52 A, Mejora, TO-247 de 3 pines