MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 250 A, AG-62MM, Mejora, 1, config. Doble
- Código RS:
- 222-4795
- Referência do fabricante:
- FF6MR12KM1BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4795
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- FF6MR12KM1BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | FF6MR | |
| Encapsulado | AG-62MM | |
| Tipo de montaje | Chasis | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.81mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 5.85V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie FF6MR | ||
Encapsulado AG-62MM | ||
Tipo de montaje Chasis | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.81mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 5.85V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de medio puente Infineon de 62 mm, 1.200 V, 6 mΩ con MOSFET Cool sic™.
Alta densidad de corriente
Pérdidas de conmutación bajas
Fiabilidad de óxido de puerta superior
Máxima resistencia contra la humedad
Diodo de cuerpo integrado robusto y, por tanto, condiciones térmicas óptimas
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