MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPSA70R900P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4715
- Referência do fabricante:
- IPSA70R900P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
10,84 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 4480 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,542 € | 10,84 € |
| 100 - 180 | 0,417 € | 8,34 € |
| 200 - 480 | 0,39 € | 7,80 € |
| 500 - 980 | 0,363 € | 7,26 € |
| 1000 + | 0,336 € | 6,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4715
- Referência do fabricante:
- IPSA70R900P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.1mm | |
| Anchura | 2.38 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.1mm | ||
Anchura 2.38 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Diodo de protección ESD integrado
Excelente comportamiento térmico
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 10 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS70R600P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS70R900P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines