MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4704
- Referência do fabricante:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4704
- Referência do fabricante:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 145mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 15.95mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 145mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 15.95mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de Infineon, también conocidos como transistores MOSFET, son los acrónimo de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
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