MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA70R900P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*

10,395 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Em stock
  • 120 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
15 - 600,693 €10,40 €
75 - 1350,659 €9,89 €
150 - 3600,632 €9,48 €
375 - 7350,603 €9,05 €
750 +0,563 €8,45 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
222-4644
Referência do fabricante:
IPA70R900P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Pérdidas extremadamente bajas debido a la baja FOM RDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss

Validación del producto conforme Estándar JEDEC

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Diodo de protección ESD integrado

Links relacionados

Recently viewed