MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

18,95 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 450 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
50 - 500,379 €18,95 €
100 - 2000,296 €14,80 €
250 - 4500,284 €14,20 €
500 - 9500,273 €13,65 €
1000 +0,262 €13,10 €

*preço indicativo

Código RS:
215-2488
Referência do fabricante:
IPAN70R360P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-220

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.4nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

26.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon 700V Cool MOS™ P7 de súper unión se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de súper unión utilizadas actualmente. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos. La última CoolMOS™P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss

Excelente comportamiento térmico

Diodo de protección ESD integrado

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Links relacionados