MOSFET ROHM, Tipo N-Canal SP8K52HZGTB, VDSS 100 V, ID 3 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

15,70 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 2460 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 401,57 €15,70 €
50 - 901,538 €15,38 €
100 - 2401,394 €13,94 €
250 - 9901,258 €12,58 €
1000 +1,229 €12,29 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
222-4376
Referência do fabricante:
SP8K52HZGTB
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SP8K52

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6 mm

Altura

1.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K52HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 100V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS

Certificación AEC-Q101

Links relacionados