MOSFET ROHM, Tipo N-Canal SP8K41HZGTB, VDSS 80 V, ID 3.4 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 222-4374
- Referência do fabricante:
- SP8K41HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
12,85 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,57 € | 12,85 € |
| 50 - 95 | 2,248 € | 11,24 € |
| 100 - 245 | 1,996 € | 9,98 € |
| 250 - 995 | 1,80 € | 9,00 € |
| 1000 + | 1,766 € | 8,83 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4374
- Referência do fabricante:
- SP8K41HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SP8K41 | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SP8K41 | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K41HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 80V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación.
Baja resistencia
Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)
Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS
Sin halógenos
Chapado en Sn100 %
Certificación AEC-Q101
Links relacionados
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 80 V, ID 3.4 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 3 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 45 V, ID 4.5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 45 V, ID 6 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal SH8JB5TB1, VDSS 40 V, ID 8.5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal SP8K52HZGTB, VDSS 100 V, ID 3 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal SP8K33HZGTB, VDSS 60 V, ID 5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal SH8JC5TB1, VDSS 60 V, ID 7.5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
