MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 16.1 A, Mejora, VDFN de 8 pines
- Código RS:
- 222-2880
- Referência do fabricante:
- DMT64M8LCG-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2880
- Referência do fabricante:
- DMT64M8LCG-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | VDFN | |
| Serie | DMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.16W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado VDFN | ||
Serie DMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.16W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar RDS(ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para usar en gestión de alimentación de batería de portátil e interruptor de carga.
Alta eficiencia de conversión
Baja RDS(ON): Minimiza las pérdidas de estado
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Puerta protegida contra ESD
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