MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 10.6 A, VDFN-3030, Mejora de 8 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2867
- Referência do fabricante:
- DMT3009UDT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2867
- Referência do fabricante:
- DMT3009UDT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | VDFN-3030 | |
| Serie | DMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.011Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 16W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado VDFN-3030 | ||
Serie DMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.011Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 16W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Tensión de umbral de puerta ultrabaja
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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