MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 292 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 222-2693
- Referência do fabricante:
- 2N7002EQ-7-F
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2693
- Referência do fabricante:
- 2N7002EQ-7-F
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 292mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 292mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie 2N7002 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Está calificado para AEC-Q101, y es compatible con PPAP.
Baja resistencia
Baja tensión umbral de compuerta
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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