MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NXV65HR82DZ2, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, config. Medio puente
- Código RS:
- 221-6768
- Referência do fabricante:
- NXV65HR82DZ2
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | AMCA-A16 | |
| Serie | NXV65HR | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.082Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 128W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Altura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 40.3mm | |
| Anchura | 22.1 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado AMCA-A16 | ||
Serie NXV65HR | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.082Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 128W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Altura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 40.3mm | ||
Anchura 22.1 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El puente H del cargador de placa on Semiconductor en la serie APM16 para LLC y el convertidor dc-dc de desplazamiento de fase. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir el consumo de combustible del vehículo y las emisiones de CO2. Dispone de medio puente superFET3 sobre sustrato de DBC de Al²O³ 82mΩ con aislamiento de 5 kV en un módulo moldeado de transferencia compacto APM16.
Sustrato aislado eléctricamente de 5 kV/1 s para facilitar el montaje
Diseño compacto para baja resistencia total del módulo
Serialización de módulos para una trazabilidad completa
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