MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 38 A, APMCD-A16 de 12 pines, config. Aislado
- Código RS:
- 221-6579
- Referência do fabricante:
- FAM65CR51ADZ2
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6579
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- FAM65CR51ADZ2
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | FAM | |
| Encapsulado | APMCD-A16 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 12 | |
| Tensión directa Vf | 2.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 123nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, UL94V-0 | |
| Longitud | 40.3mm | |
| Altura | 4.7mm | |
| Anchura | 22.1 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AQG 324 | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie FAM | ||
Encapsulado APMCD-A16 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 12 | ||
Tensión directa Vf 2.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 123nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, UL94V-0 | ||
Longitud 40.3mm | ||
Altura 4.7mm | ||
Anchura 22.1 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AQG 324 | ||
EL on Semiconductor FAM65CR51ADZ1 es un módulo MOSFET de alimentación integrado con etapa de convertidor de impulso para corrección de factor de potencia (PFC) multifase y semidesbridada con diodo. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir el consumo de combustible del vehículo y las emisiones de CO2.
Diseño compacto para baja resistencia total del módulo
Serialización de módulos para una trazabilidad completa
Rendimiento mejorado con diodo SiC
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